Beschreiwung
Antimon TellurideSb2Te3, e Compound Halbleiter vun der Grupp VA, VIA Elementer an der Periodesch Tabell.Mat sechseckegen-Rhombohedral Struktur, Dicht 6,5g / cm3, Schmelzpunkt 620oC, Band Spalt 0.23eV, CAS 1327-50-0, MW 626.32, et ass soluble an Salpetersäure an inkompatibel mat Saieren, insoluble am Waasser, a Stabilitéit vun Net-flammable.Antimon Telluride gehéiert zu der Grupp-15 Metalloid Trichalcogeniden, Sb2Te3 Kristalle hunn eng typesch lateral Gréisst, rechteckeg geformt an e metallescht Erscheinungsbild, d'Schichte ginn iwwer Van der Waals Interaktiounen zesumme gestapelt a kënnen an dënn 2D Schichten exfoliéiert ginn.Virbereet duerch Bridgman Method, Antimon Telluride ass e Hallefleit, topologeschen Isolator an en thermoelektrescht Material, Solarzellmaterialien, Vakuumverdampung.Mëttlerweil, Sb2Te3ass e wichtegt Basismaterial fir High-Performance Phase Change Memory oder optesch Datenspeicherapplikatiounen.Tellurideverbindunge fanne vill Uwendungen als Elektrolytmaterial, Halbleiter Dotant, QLED Display, IC Feld etc an aner Materialfelder.
Liwwerung
Antimon Telluride Sb2Te3an Aluminium Telluride Al2Te3, Arsenic Telluride As2Te3, Bismuth Telluride Bi2Te3, Gallium Telluride Ga2Te3 bei Western Minmetals (SC) Corporation mat 4N 99.99% an 5N 99.999% Rengheet sinn a Form vu Pudder -60mesh, -80mesh, granule 1-6mm, lump 1-20mm, Chunk, Bulk Kristallsglas produzéiert, Staang a Substrat etc oder als personaliséiert Spezifizéierung fir eng perfekt Léisung z'erreechen.
Technesch Spezifizéierung
Telluride Verbindungenbezéien sech op d'Metallelementer a Metalloidverbindungen, déi stoichiometresch Zesummesetzung hunn, déi sech an engem bestëmmte Beräich änneren fir eng Verbindungsbaséiert zolidd Léisung ze bilden.Inter-metallesch Verbindung ass vu senge exzellenten Eegeschaften tëscht Metall a Keramik, a gëtt eng wichteg Branche vun den neie strukturelle Materialien.Telluride Verbindungen vun Antimon Telluride Sb2Te3, Aluminium Telluride Al2Te3, Arsenic Telluride As2Te3, Bismuth Telluride Bi2Te3, Cadmium Telluride CdTe, Cadmium Zink Telluride CdZnTe, Cadmium Mangan Telluride CdMnTe or CMT, Copper Telluride Cu2Te, Gallium Telluride Ga2Te3, Germanium Telluride GeTe, Indium Telluride InTe, Lead Telluride PbTe, Molybdän Telluride MoTe2, Wolfram Telluride WTe2a seng (Li, Na, K, Be, Mg, Ca) Verbindungen a Selten Äerdverbindunge kënnen a Form vu Pulver, Granulat, Klump, Bar, Substrat, Bulkkristall an Eenkristallin synthetiséiert ginn ...
Antimon Telluride Sb2Te3an Aluminium Telluride Al2Te3, Arsenic Telluride As2Te3, Bismuth Telluride Bi2Te3, Gallium Telluride Ga2Te3bei Western Minmetals (SC) Corporation mat 4N 99.99% an 5N 99.999% Rengheet sinn a Form vu Pudder -60mesh, -80mesh, granule 1-6mm, lump 1-20mm, Chunk, Bulk Kristallsglas produzéiert, Staang a Substrat etc oder als personaliséiert Spezifizéierung fir eng perfekt Léisung z'erreechen.
Nee. | Artikel | Standard Spezifizéierung | ||
Formel | Rengheet | Gréisst & Verpakung | ||
1 | Zénk Telluride | ZnTe | 5N | -60mesh, -80mesh Pudder, 1-20mm onregelméisseg Klump, 1-6mm granule, Zil oder eidel.
500g oder 1000g an Polyethylen Fläsch oder Komposit Sak, Kartong Këscht ausserhalb.
Telluride Verbindungen Zesummesetzung ass op Ufro verfügbar.
Besonnesch Spezifizéierung an Uwendung kënne fir perfekt Léisung personaliséiert ginn |
2 | Arsen Telluride | As2Te3 | 4N5N | |
3 | Antimon Telluride | Sb2Te3 | 4N5N | |
4 | Aluminium Tellurid | Al2Te3 | 4N5N | |
5 | Bismuth Telluride | Bi2Te3 | 4N5N | |
6 | Kupfer Tellurid | Cu2Te | 4N5N | |
7 | Cadmium Telluride | CdTe | 5N 6N 7N | |
8 | Cadmium Zink Telluride | CdZnTe, CZT | 5N 6N 7N | |
9 | Cadmium Mangan Telluride | CdMnTe, CMT | 5n 6n | |
10 | Gallium Tellurid | Ga2Te3 | 4N5N | |
11 | Germanium Telluride | Geet | 4N5N | |
12 | Indium Telluride | InTe | 4N5N | |
13 | Lead Telluride | PbTe | 5N | |
14 | Molybdän Telluride | MoT2 | 3n5 | |
15 | Wolfram Telluride | WTE2 | 3n5 |
Aluminium Telluride Al2Te3oderTriturium Dialuminium, CAS 12043-29-7, MW 436,76, Dicht 4,5 g/cm3, kee Geroch, ass gro-schwaarz sechseckegen Kristall, a stabil bei Raumtemperatur, awer zersetzt sech a Waasserstofftellurid an Aluminiumhydroxid a fiichter Loft.Aluminium Telluride Al2Te3,kann geformt ginn andeems Al an Te bei 1000°C reagéiert ginn, de binäre System Al-Te enthält d'Zwëschenphasen AlTe, Al2Te3(α-Phase a β-Phase) an Al2Te5, D'Kristallstruktur vun α- Al2Te3ass monoklinesch.Aluminium Telluride Al2Te3ass haaptsächlech fir pharmazeutesch Matière première, semiconductor an Infraroutstrahlung Material benotzt.Aluminium Telluride Al2Te3bei Western Minmetals (SC) Corporation mat 4N 99,99% an 5N 99,999% Rengheet ass verfügbar a Form vu Pudder, Granule, Klump, Chunk, Bulk Kristall etc.
Arsenic Telluride oder Arsenic Ditelluride As2Te3, eng Grupp I-III binär Verbindung, ass an zwee kristallographesch Alpha-As2Te3an Beta-As2Te3, dorënner Beta-As2Te3mat rhombohedral Struktur, weist interessant thermoelectric (TE) Eegeschafte vun Upassung den Inhalt vun Alliagen.Polykristallin Arsen Telluride As2Te3Verbindung synthetiséiert duerch Pulvermetallurgie kann eng interessant Plattform sinn fir nei TE Materialien mat héijer Effizienz ze designen.Eenzeg Kristalle vun As2Te3 ginn hydrothermesch virbereet andeems d'Heizung a graduell Ofkillung vun enger Mëschung aus stoichiometresche Quantitéite vu pulveriséierter As an Te an enger HCl 25% w/w Léisung gëtt.Et gëtt haaptsächlech als Halbleiter, topologesch Isolatoren, thermoelektresch Materialien benotzt.Arsen Telluride As2Te3bei Western Minmetals (SC) Corporation mat Rengheet vun 99,99% 4N, 99,999% 5N kann a Form vu Pudder geliwwert ginn, granule, lump, Chunk, bulk Kristallsglas produzéiert etc oder als perséinlëche Spezifizéierung.
Bismuth Telluride Bi2Te3, Typ P oder N-Typ, CAS Nr 1304-82-1, MW 800,76, Dicht 7,642 g/cm3, Schmelzpunkt 5850C, gëtt synthetiséiert duerch Vakuum Schmelz-kontrolléiert Kristalliséierungsprozess nämlech mat der Bridgman-Stockbarber Method an Zone-floating Method.Als thermoelektrescht Hallefleitmaterial stellt d'Bismuth Telluride Pseudo-binär Legierung déi bescht Charakteristiken fir Raumtemperatur thermoelektresch Killapplikatiounen fir miniaturiséiert versatile Killgeräter an engem breet Spektrum vun Ausrüstungen an Energiegeneratioun a Weltraumfahrten.Andeems Dir entspriechend orientéierte Eenkristallen amplaz vu polykristallin benotzt, kann d'Effizienz vum thermoelektreschen Apparat (Thermoelectric Cooler oder Thermoelectric Generator) staark erhéicht ginn, wat an der Hallefleitung an der Temperaturdifferenzkraaft Generatioun gegrënnt ka ginn, an och fir optoelektronesch Geräter a Bi2Te3 dënn. Film Material.Bismuth Telluride Bi2Te3bei Western Minmetals (SC) Corporation ass an der Gréisst vun Pudder, granule, lump, Staang, Substrat, bulk Kristallsglas produzéiert etc mat 4N 99,99% an 5N 99,999% Rengheet geliwwert ginn.
Gallium Telluride Ga2Te3ass en haarden a bréchege schwaarze Kristall mat MW 522.24, CAS 12024-27-0, Schmelzpunkt vu 790 ℃ an Dicht 5.57g/cm3.Eenkristall Gallium Telluride GaTe gëtt entwéckelt andeems verschidde Wuesstumstechnike benotzt wéi Bridgman Growth, Chemical Vapor Transport CVT oder Flux Zone Growth fir d'Korngréisst, Defektkonzentratioun, strukturell, optesch an elektronesch Konsistenz ze optimiséieren.Awer Flux Zone Technik ass eng halogenidfräi Technik déi benotzt gëtt fir wierklech Hallefleitungsgrad vdW Kristalle ze synthetiséieren, déi sech vun der Chemical Vapor Transport CVT Technik ënnerscheet fir eng lues Kristalliséierung fir perfekt atomar Struktur ze garantéieren, a Gëftstofffräi Kristallwachstum.Gallium Telluride GaTe ass e Schichten Halbleiter, deen zum III-VI Metallverbindungskristall gehéiert mat zwee Modifikatioune, déi stabil α-GaTe vun engem monoklineschen a metastabile β-GaTe vun sechseckegen Struktur sinn, gutt p-Typ Transporteigenschaften, eng direkt Band- Spalt vun 1,67 eV am Gros, konvertéiert déi sechseckeg Phase bei héijer Temperatur an d'monoklinesch Phase.Gallium Telluride Layer Semiconductor besëtzt interessant Eegeschafte attraktiv fir zukünfteg opto-elektronesch Uwendungen.Gallium Telluride Ga2Te3bei Western Minmetals (SC) Corporation mat Rengheet vun 99,99% 4N, 99,999% 5N kann a Form vun Pudder geliwwert ginn, granule, lump, Chunk, Staang, bulk Kristallsglas produzéiert etc oder als perséinlëche Spezifizéierung.
Beschaffungstips
Sb2Te3 Al2Te3 As2Te3 Bi2Te3 Ga2Te3