Indiumoxid

Beschreiwung

Indiumoxid In₂O₃oder Indiumtrioxid 99,99%, 99,995%, 99,999% an 99,9999%, e Mikropudder oder Nanopartikel hellgiel fest Pudder, CAS 1312-43-3, Dicht 7,18g/cm³a schmëlzt ëm 2000°C, ass e stabilt Keramikähnlecht Material dat onopléisbar am Waasser ass, awer opléisbar a waarm anorganescher Säure.Indiumoxid In₂O₃ass en n-Typ Halbleiterfunktiounsmaterial mat méi klenger Resistivitéit, méi héijer katalytescher Aktivitéit an e breet Bandspalt fir optoelektronesch Uwendungen. Indiumoxid In₂O₃bei Western Minmetals (SC) Corporation kann mat Rengheet vun 99,99%, 99,995%, 99,999% an 99,9999% an der Gréisst vun 2-10 Mikron oder -100 Mesh-Pulver an Nano-Grad geliwwert ginn, 1 kg a Polyethylenfläsch mat versiegeltem Plastikstut verpackt, oder 1kg, 2kg 5kg am Komposit Aluminiumbeutel mat Kartongskëscht dobaussen, oder als personaliséiert Spezifikatioune fir déi perfekt Léisungen.

Uwendungen

Indiumoxid In₂O₃huet eng verbreet Notzung an photoelectric, Gas Sensor, dënn Film Infra-rout Reflektoren, Katalysator Applikatioun, Spezialitéit Glas Faarf Additiv, alkalesch Batterien, an héich aktuell elektresch Schalter a Kontakter, Schutzmoossnamen Beschichtung vun metallen Spigel, a fir semiconductor Film vun elektro-opteschen Affichage etc. In₂O₃ass den Haaptbestanddeel fir ITO Zil fir Affichage, energieeffizient Fënsteren a Photovoltaik.Zousätzlech, In₂O₃ass als resistivt Element an ICs fir Heterojunctions mat Materialien wéi p-InP, n-GaAs, n-Si an aner Hallefleit ze bilden.Mëttlerweil, mat Uewerfläch Effekt, kleng Gréisst a macroscopic Quantentunnel Effekt,Nano an₂O₃ass haaptsächlech fir optesch an antistatesch Beschichtungen, transparent konduktiv Beschichtungen Uwendung.

Ufro elo

Detailer

Tags

Technesch Spezifizéierung

In₂O₃

Ausgesinn	gielzeg Pudder
Molekulare Gewiicht	277,63
Dicht	7,18 g/cm³
Schmëlzpunkt	2000°C
CAS Nr.	1312-43-2

Nee.	Artikel		Standard Spezifizéierung
1	Puritéit In₂O₃≥		Gëftegkeet (ICP-MS Testbericht PPM Max jeweils)
2	4N	99,99%	Cu/Al 20, Ti 3.0, Pb 4.0, Sn 7.0, Cd 8.0, Fe 15	Ganzen ≤100
	4n5	99,995%	Cu/Al/Cd/Sn/Ti/Ni/As/Zn 1.0, Si 2.0, Fe/Ca 5.0	Ganzen ≤50
	5N	99,999%	Cu/Pb/Cd/Fe/Ni 0,5, Ca/Sn/Ti 1,0	Ganzen ≤10
	6 N	99,9999%	Op Ufro verfügbar	Ganzen ≤1,0
3	Gréisst		2-10μm Pudder fir 4N 5N5 5N Rengheet, -100mesh Pudder fir 6N Rengheet
4	Verpakung		1 kg an polyethylene Fläsch mat zouene Plastikstut dobaussen

Indiumoxid In₂O₃ oder Indium Trioxid In₂O₃bei Western Minmetals (SC) Corporation kann mat Rengheet vun 99,99%, 99,995%, 99,999% an 99,9999% 4N 4N5 5N 6N an der Gréisst vun 2-10 Mikron oder -100 Mesh-Pulver an Nano-Grad geliwwert ginn, 1 kg Fläsch mat Polyethylen verpackt versiegelt Plastikstut, dann Kartongskëscht dobaussen, oder als personaliséiert Spezifikatioune fir déi perfekt Léisungen.

Indiumoxid In₂O₃huet eng verbreet Notzung an photoelectric, Gas Sensor, dënn Film Infra-rout Reflektoren, Katalysator Applikatioun, Spezialitéit Glas Faarf Additiv, alkalesch Batterien, an héich aktuell elektresch Schalter a Kontakter, Schutzmoossnamen Beschichtung vun metallen Spigel, a fir semiconductor Film vun elektro-opteschen Affichage etc. In₂O₃ass den Haaptbestanddeel fir ITO Zil fir Affichage, energieeffizient Fënsteren a Photovoltaik.Zousätzlech, In₂O₃ass als resistivt Element an ICs fir Heterojunctions mat Materialien wéi p-InP, n-GaAs, n-Si an aner Hallefleit ze bilden.Mëttlerweil, mat Uewerflächeneffekt, kleng Gréisst a makroskopesch Quantentunneleffekt, Nano In₂O₃ass haaptsächlech fir optesch an antistatesch Beschichtungen, transparent konduktiv Beschichtungen Uwendung.