wmk_product_02

Epitaxial (EPI) Silicon Wafer

Beschreiwung

Epitaxial Silicon Waferoder EPI Silicon Wafer, ass e Wafer vun enger hallefleitender Kristallschicht, déi duerch epitaxial Wuesstum op déi poléiert Kristalloberfläch vun engem Siliziumsubstrat deposéiert ass.D'Epitaxialschicht kann datselwecht Material sinn wéi de Substrat duerch homogene Epitaxialwachstum, oder eng exotesch Schicht mat spezifescher wënschenswäerter Qualitéit duerch heterogenen Epitaxialwachstum, déi d'Epitaxialwachstumstechnologie adoptéiert enthält chemesch Dampdepositioun CVD, Flëssegphase Epitaxie LPE, souwéi molekulare Strahl. epitaxy MBE déi héchste Qualitéit vun niddereg Mängel Dicht a gutt Uewerfläch roughness ze erreechen.Silicon Epitaxial Wafers ginn haaptsächlech an der Produktioun vu fortgeschratten Hallefleitgeräter benotzt, héich integréiert Hallefleitelementer ICs, diskret a Kraaftapparater, och benotzt fir Element vun Diode an Transistor oder Substrat fir IC wéi bipolare Typ, MOS a BiCMOS Geräter.Ausserdeem, Multi-Schicht epitaxial an décke Film EPI Silizium Wafere ginn dacks a Mikroelektronik, Photonik a Photovoltaik Uwendung benotzt.

Liwwerung

Epitaxial Silicon Wafers oder EPI Silicon Wafer bei Western Minmetals (SC) Corporation kënnen an der Gréisst vun 4, 5 a 6 Zoll (100mm, 125mm, 150mm Duerchmiesser) ugebuede ginn, mat Orientéierung <100>, <111>, Epilayer Resistivitéit vun <1ohm -cm oder bis zu 150ohm-cm, an Epilayer Dicke vun <1um oder bis zu 150um, fir déi verschidde Ufuerderungen an Uewerflächefinanz vun geätzt oder LTO Behandlung ze zefridden, a Kassett mat Kartongskëscht dobausse verpackt, oder als personaliséiert Spezifizéierung fir déi perfekt Léisung . 


Detailer

Tags

Technesch Spezifizéierung

Epi Silicon Wafer

SIE-W

Epitaxial Silicon Wafersoder EPI Silicon Wafer bei Western Minmetals (SC) Corporation kann an der Gréisst vun 4, 5 a 6 Zoll (100mm, 125mm, 150mm Duerchmiesser) ugebuede ginn, mat Orientéierung <100>, <111>, Epilayer Resistivitéit vun <1ohm-cm oder bis zu 150ohm-cm, an Epilayer Dicke vun <1um oder bis zu 150um, fir déi verschidde Ufuerderungen an Uewerflächefinanz vun geätzt oder LTO Behandlung ze zefridden, a Kassett mat Kartongskëscht dobausse verpackt, oder als personaliséiert Spezifizéierung fir déi perfekt Léisung.

Symbol Si
Atomnummer 14
Atomescht Gewiicht 28.09
Element Kategorie Metalloid
Grupp, Period, Block 14, 3, p
Kristallstruktur Diamant
Faarf Donkelgrau
Schmëlzpunkt 1414°C, 1687,15 K
Kachpunkt 3265°C, 3538,15 K
Dicht op 300K 2,329 g/cm3
Intrinsesch Resistivitéit 3.2E5 Ω-cm
CAS Zuel 7440-21-3
EC Nummer 231-130-8
Nee. Artikelen Standard Spezifizéierung
1 Allgemeng Charakteristiken
1-1 Gréisst 4" 5" 6"
1-2 Duerchmiesser mm 100 ± 0,5 125±0,5 150 ± 0,5
1-3 Orientéierung <100>, <111> <100>, <111> <100>, <111>
2 Epitaxial Layer Charakteristiken
2-1 Wuesstem Method CVD CVD CVD
2-2 Konduktivitéit Typ P oder P+, N/ oder N+ P oder P+, N/ oder N+ P oder P+, N/ oder N+
2-3 Dicke μm 2,5-120 2,5-120 2,5-120
2-4 Dicke Uniformitéit ≤3% ≤3% ≤3%
2-5 Resistivitéit Ω-cm 0,1-50 0,1-50 0,1-50
2-6 Resistivitéit Uniformitéit ≤3% ≤5% -
2-7 Dislokatioun cm-2 <10 <10 <10
2-8 Uewerfläch Qualitéit Keen Chip, Niwwel oder Orangeschuel bleift, asw.
3 Grëff Substrat Charakteristiken
3-1 Wuesstem Method CZ CZ CZ
3-2 Konduktivitéit Typ P/N P/N P/N
3-3 Dicke μm 525-675 525-675 525-675
3-4 Dicke Uniformitéit max 3% 3% 3%
3-5 Resistivitéit Ω-cm Wéi néideg Wéi néideg Wéi néideg
3-6 Resistivitéit Uniformitéit 5% 5% 5%
3-7 TTV μm max 10 10 10
3-8 Béi μm max 30 30 30
3-9 Spannung μm max 30 30 30
3-10 EPD cm-2 max 100 100 100
3-11 Rand Profil Ofgerënnt Ofgerënnt Ofgerënnt
3-12 Uewerfläch Qualitéit Keen Chip, Niwwel oder Orangeschuel bleift, asw.
3-13 Récksäit Finish Etched oder LTO (5000±500Å)
4 Verpakung Kassett bannen, Kartongskëscht dobaussen.

Silicon Epitaxial Wafersginn haaptsächlech an der Produktioun vun fortgeschrattene Hallefleitgeräter benotzt, héich integréiert Hallefleitelementer ICs, diskret a Kraaftapparater, och benotzt fir Element vun Diode an Transistor oder Substrat fir IC wéi bipolare Typ, MOS a BiCMOS Geräter.Ausserdeem, Multi-Schicht epitaxial an décke Film EPI Silizium Wafere ginn dacks a Mikroelektronik, Photonik a Photovoltaik Uwendung benotzt.

GaSb-W

SIE-W1

sm6

SIE-W3

s8

PK-26 (2)

Beschaffungstips

  • Probe verfügbar op Ufro
  • Sécherheet Liwwerung vu Wueren duerch Courrier / Loft / Mier
  • COA/COC Qualitéitsmanagement
  • Sécher & Confortabel Verpakung
  • UN Standard Verpackung verfügbar op Ufro
  • ISO9001:2015 zertifizéiert
  • CPT/CIP/FOB/CFR Konditioune Vun Incoterms 2010
  • Flexibel Bezuelungsbedéngungen T/TD/PL/C Akzeptabel
  • Voll Dimensiounen After-Sale Services
  • Qualitéitsinspektioun Duerch Sate-of-the-art Ariichtung
  • Rohs / REACH Reglementer Genehmegung
  • Non-Disclosure Agreements NDA
  • Non-Konflikt Mineralpolitik
  • Regelméisseg Ëmweltmanagement Bewäertung
  • Sozial Verantwortung Erfëllung

Epitaxial Silicon Wafer


  • virdrun:
  • Nächste:

  • QR code