CZ Silicon Wafer

Beschreiwung

CZ Single Crystal Silicon Wafer ass geschnidden aus Single-Kristall Silizium Ingot gezunn vun der Czochralski CZ Wuesstumsmethod, déi am meeschte verbreet benotzt gëtt fir Siliziumkristallwachstum vu groussen zylindresche Ingots, déi an der Elektronikindustrie benotzt ginn fir Hallefleitgeräter ze maachen.An dësem Prozess gëtt e schlank Som aus Kristallsilisium mat präzisen Orientéierungstoleranzen an d'geschmollte Siliziumbad agefouert, deem seng Temperatur präzis kontrolléiert gëtt.De Somkristall gëtt lues no uewen aus der Schmelz mat engem ganz kontrolléierten Taux gezunn, déi kristallin Verstäerkung vun Atomer aus enger flësseger Phase geschitt op engem Interface, de Somkristall an d'Kroue ginn an entgéintgesate Richtungen wärend dësem Réckzuchsprozess gedréint, a kreéiert eng grouss Single Kristallsilicon mat der perfekter Kristallstruktur vum Som.

Dank dem Magnéitfeld ugewandt fir de Standard CZ Ingot-Zuch, Magnéitfeld-induzéiert Czochralski MCZ Eenkristallsilizium ass vu vergläichbar manner Gëftstoffer Konzentratioun, nidderegen Sauerstoffniveau an Dislokatioun, an eenheetleche Resistivitéitsvariatioun déi gutt an héichtechnologie elektronesche Komponenten an Apparater funktionnéiert Fabrikatioun an elektronescher oder photovoltaik Industrien.

Liwwerung

CZ oder MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-Typ a p-Typ Konduktivitéit bei Western Minmetals (SC) Corporation kënnen an der Gréisst vun 2, 3, 4, 6, 8 an 12 Zoll Duerchmiesser (50, 75, 100, 125, 150, 200 an 300mm), Orientéierung <100>, <110>, <111> mat Uewerfläch Finish vun gelappt, etched a poléiert am Pak vun Schaum Këscht oder Kassett mat Kartong Këscht dobaussen.

Ufro elo

Detailer

Tags

Technesch Spezifizéierung

CZ Silicon Wafer

CZ Single Crystal Silicon Wafer ass d'Basismaterial an der Produktioun vun integréierte Circuiten, Dioden, Transistoren, diskret Komponenten, benotzt an all Typ vun elektroneschen Ausrüstung an Hallefleitgeräter, souwéi Substrat an der Epitaxialveraarbechtung, SOI Wafer Substrat oder semi-isoléierend Compound Wafer Fabrikatioun, besonnesch grouss Duerchmiesser vun 200mm, 250mm an 300mm sinn optimal fir d'Fabrikatioun vun ultra héich integréiert Apparater.Single Crystal Silicon gëtt och fir Solarzellen a grousse Quantitéite vun der Photovoltaikindustrie benotzt, déi bal perfekt Kristallstruktur déi héchst Liicht-zu-Elektrizitéit Konversiounseffizienz gëtt.

Nee.	Artikelen	Standard Spezifizéierung
1	Gréisst	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Duerchmiesser mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100 ± 0,5	150 ± 0,5	200±0,5	300±0,5
3	Konduktivitéit	P oder N oder ongedotéiert
4	Orientéierung	<100>, <110>, <111>
5	Dicke μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 oder wéi néideg
6	Resistivitéit Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 etc
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	Primär flaach / Längt mm	Als SEMI Standard oder wéi néideg
9	Secondary Flat/Länge mm	Als SEMI Standard oder wéi néideg
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp μm max	30	30	30	30	30	30
12	Uewerfläch Finish	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	Verpakung	Schaumkëscht oder Kassett bannen, Kartongskëscht dobaussen.

Symbol	Si
Atomnummer	14
Atomescht Gewiicht	28.09
Element Kategorie	Metalloid
Grupp, Period, Block	14, 3, p
Kristallstruktur	Diamant
Faarf	Donkelgrau
Schmëlzpunkt	1414°C, 1687,15 K
Kachpunkt	3265°C, 3538,15 K
Dicht op 300K	2,329 g/cm³
Intrinsesch Resistivitéit	3.2E5 Ω-cm
CAS Zuel	7440-21-3
EC Nummer	231-130-8

CZ oder MCZ Single Crystal Silicon Wafern-Typ an p-Typ Konduktivitéit bei Western Minmetals (SC) Corporation kann an der Gréisst vun 2, 3, 4, 6, 8 an 12 Zoll Duerchmiesser (50, 75, 100, 125, 150, 200 an 300 mm) geliwwert ginn. Orientéierung <100>, <110>, <111> mat Surface Finish vun als geschnidde, geklappt, geätzt a poléiert an engem Package vu Schaumkëscht oder Kassett mat Kartongskëscht dobaussen.