FZ NTD Silicon Wafer

Beschreiwung

FZ-NTD Silicon Wafer, bekannt als Float-Zone Neutron Transmutation Doped Silicon Wafer.Sauerstoff-gratis, héich Rengheet an héchste resistivity Silicon kann by Float-Zone FZ (Zone-Floating) Kristallwachstum, HHéich Resistivitéit FZ Silizium Kristall gëtt dacks duerch Neutron Transmutation Doping (NTD) Prozess dotéiert, an deem Neutronestrahlung op ongedopte Float Zone Silizium fir Siliziumisotopen ze maachen, déi mat Neutronen gefaange sinn an dann an déi gewënscht Doping zerfall fir den Dopingziel z'erreechen.Duerch d'Upassung vum Niveau vun der Neutronestralung kann d'Resistivitéit geännert ginn ouni extern Dotanten anzeféieren an dofir d'Materialrengheet ze garantéieren.FZ NTD Silicon wafers (Float Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) hunn Premium technesch Eegeschafte vun eenheetlech Doping Konzentratioun an eenheetlech Radial Resistivitéit Verdeelung, niddregsten Gëftstoffer Niveauen,an héich Minoritéit Carrier Liewensdauer.

Liwwerung

Als Maart féierende Zouliwwerer vun NTD Silizium fir villverspriechend Kraaftapplikatiounen, an no de wuessende Fuerderunge fir Topqualitéitniveau Wafers, super FZ NTD Siliziumwaferbei Western Minmetals (SC) Corporation kann eise Clienten weltwäit a verschiddene Gréissten ugebuede ginn rangéiert vun 2 ", 3", 4 ", 5" a 6 "Duerchmiesser (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm an 150 mm) a breet Palette vu Resistenz. 5 bis 2000 ohm.cm an <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> Orientéierungen mat geschnidde, geschnidde, geläschte a poléierte Surface Finish am Package vu Schaumbox oder Kassett , oder als personaliséiert Spezifizéierung fir déi perfekt Léisung.

Ufro elo

Detailer

Tags

Technesch Spezifizéierung

FZ NTD Silicon Wafer

Als Maart féierende Zouliwwerer vu FZ NTD Silizium fir villverspriechend Kraaftapplikatiounen, a no de wuessende Fuerderunge fir Topqualitéitniveau Wafers, super FZ NTD Siliziumwafer bei Western Minmetals (SC) Corporation kënnen eise Clienten weltwäit a verschiddene Gréissten ugebuede ginn, rangéiert vun 2 ″ bis 6″ Duerchmiesser (50, 75, 100, 125 an 150 mm) a breet Resistivitéitsberäich 5 bis 2000 ohm-cm an <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> Orientatioune mat gelappten, geätzten a poléierten Uewerflächefinish a Package vu Schaumkëscht oder Kassett, Kartongskëscht dobausse oder als personaliséiert Spezifizéierung fir déi perfekt Léisung.

Nee.	Artikelen	Standard Spezifizéierung
1	Gréisst	2"	3"	4"	5"	6"
2	Duerchmiesser	50,8±0,3	76,2±0,3	100 ± 0,5	125±0,5	150 ± 0,5
3	Konduktivitéit	n-Typ	n-Typ	n-Typ	n-Typ	n-Typ
4	Orientéierung	<100>, <111>, <110>
5	Dicke μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 oder wéi néideg
6	Resistivitéit Ω-cm	36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 oder wéi néideg
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	TTV μm max	10	10	10	10	10
9	Bogen/Warp μm max	30	30	30	30	30
10	Carrier Liewensdauer μs	>200, >300, >400 oder wéi néideg
11	Uewerfläch Finish	As-cut, Lapped, poliert
12	Verpakung	Schaum Këscht bannen, Kartong Këscht dobaussen.

Basis Material Parameter

Symbol	Si
Atomnummer	14
Atomescht Gewiicht	28.09
Element Kategorie	Metalloid
Grupp, Period, Block	14, 3, p
Kristallstruktur	Diamant
Faarf	Donkelgrau
Schmëlzpunkt	1414°C, 1687,15 K
Kachpunkt	3265°C, 3538,15 K
Dicht op 300K	2,329 g/cm³
Intrinsesch Resistivitéit	3.2E5 Ω-cm
CAS Zuel	7440-21-3
EC Nummer	231-130-8

FZ-NTD Silicon Waferass eng primordialer Wichtegkeet fir Uwendungen an Héichkraaft, Detektortechnologien an an Hallefleitgeräter déi an extremen Bedéngungen musse schaffen oder wou niddereg Resistivitéitsvariatioun iwwer de Wafer erfuerderlech ass, sou wéi Gate-Turn-Off Thyristor GTO, statesche Induktiounsthyristor SITH, Ris transistor GTR, isoléieren-gate bipolare transistor IGBT, extra HV diode PIN.FZ NTD n-Typ Siliziumwafer ass och als Haaptfunktiounsmaterial fir verschidde Frequenzkonverter, Gleichrichter, grouss Kraaft Kontrollelementer, nei Kraaftelektronesch Geräter, Fotoelektronesch Geräter, Silizium Gläichretter SR, Silizium Kontroll SCR, an optesch Komponenten wéi Lënsen a Fënsteren fir terahertz Uwendungen.