Single Crystal Silicon Ingot

Beschreiwung

Single Crystal Silicon Ingotis normalerweis ugebaut als grouss zylindresch ingot duerch genee Doping an zéien Technologien Czochralski CZ, Magnéitfeld induzéiert Czochralski MCZ an Floating Zone FZ Methoden.CZ Method ass am meeschte verbreet benotzt fir Siliziumkristallwachstum vu grousse zylindresche Ingots an Duerchmiesser bis zu 300mm benotzt an der Elektronikindustrie fir Hallefleitgeräter ze maachen.MCZ Method ass eng Variatioun vun der CZ Method an där e Magnéitfeld erstallt vun engem Elektromagnéit, wat eng niddreg Sauerstoffkonzentratioun vergläichbar erreechen kann, manner Gëftstoffer Konzentratioun, méi niddereg Dislokatioun an eenheetlech Resistivitéit Variatioun.FZ Method erliichtert d'Erreeche vun héich Resistivitéit iwwer 1000 Ω-cm an héich Rengheet Kristallsglas produzéiert mat niddereg Sauerstoff Inhalt.

Liwwerung

Single Crystal Silicon Ingot CZ, MCZ, FZ oder FZ NTD mat n-Typ oder p-Typ Konduktivitéit bei Western Minmetals (SC) Corporation kann an der Gréisst vun 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm an 200mm Duerchmiesser (2, 3) geliwwert ginn , 4, 6 an 8 Zoll), Orientéierung <100>, <110>, <111> mat Uewerfläch gegrënnt a Pak Plastikstut bannen mat Kartongskëscht dobaussen, oder als personaliséiert Spezifizéierung fir déi perfekt Léisung z'erreechen.

Ufro elo

Detailer

Tags

Technesch Spezifizéierung

Single Crystal Silicon Ingot

Single Crystal Silicon Ingot CZ, MCZ, FZ oder FZ NTDmat n-Typ oder p-Typ Konduktivitéit bei Western Minmetals (SC) Corporation kann an der Gréisst vun 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm an 200mm Duerchmiesser (2, 3, 4, 6 an 8 Zoll) geliwwert ginn, Orientéierung <100 >, <110>, <111> mat Uewerfläch Buedem am Pak vun Plastikstut bannen mat Kartong Këscht dobaussen, oder als personaliséiert Spezifizéierung fir déi perfekt Léisung ze erreechen.

Nee.	Artikelen	Standard Spezifizéierung
1	Gréisst	2", 3", 4", 5", 6", 8", 9,5", 10", 12"
2	Duerchmiesser mm	50.8-241.3, oder wéi néideg
3	Wuesstem Method	CZ, MCZ, FZ, FZ-NTD
4	Konduktivitéit Typ	P-Typ / Bor dotéiert, N-Typ / Phosphid dotéiert oder Un-dotéiert
5	Längt mm	≥180 oder wéi néideg
6	Orientéierung	<100>, <110>, <111>
7	Resistivitéit Ω-cm	Wéi néideg
8	Kuelestoffgehalt a/cm³	≤5E16 oder wéi néideg
9	Sauerstoffgehalt a/cm³	≤1E18 oder wéi néideg
10	Metallverschmotzung a/cm³	<5E10 (Cu, Cr, Fe, Ni) oder <3E10 (Al, Ca, Na, K, Zn)
11	Verpakung	Plastikstut bannen, Sperrholzkëscht oder Kartongskëscht dobaussen.

Symbol	Si
Atomnummer	14
Atomescht Gewiicht	28.09
Element Kategorie	Metalloid
Grupp, Period, Block	14, 3, p
Kristallstruktur	Diamant
Faarf	Donkelgrau
Schmëlzpunkt	1414°C, 1687,15 K
Kachpunkt	3265°C, 3538,15 K
Dicht op 300K	2,329 g/cm³
Intrinsesch Resistivitéit	3.2E5 Ω-cm
CAS Zuel	7440-21-3
EC Nummer	231-130-8

Single Crystal Silicon Ingot, wann komplett ugebaut a qualifizéiert seng Resistivitéit, Gëftstoffgehalt, Kristall Perfektioun, Gréisst a Gewiicht, gëtt mat Diamanten Rieder gegrënnt fir et e perfekte Zylinder op de richtegen Duerchmiesser ze maachen, dann ënnerleien en Ätzprozess fir déi mechanesch Defekter ze läschen, déi vum Schleifprozess hannerlooss sinn. .Duerno gëtt de zylindresche Blatt a Blöden mat enger gewësser Längt geschnidden, a gëtt Notch a primär oder sekundär flaach duerch automatiséiert Wafer-Handhabungssystemer fir Ausrichtung fir d'kristallographesch Orientéierung an d'Konduktivitéit ze identifizéieren virum Downstream Wafer-Schnëttprozess.