Gallium Antimonid GaSb

Beschreiwung

Gallium Antimonid GaSb, e Hallefleit vun der Grupp III-V Verbindungen mat Zink-Mëschung Gitter Struktur, gëtt synthetiséiert duerch 6N 7N héich Rengheet Gallium an Antimon Elementer, an ugebaut an Kristall duerch LEC Method aus directionally gefruer polycrystalline ingot oder VGF Method mat EPD <1000cm^-3.GaSb Wafer kann a geschnidden a fabrizéiert ginn duerno aus eenzel kristallinem Ingot mat enger héijer Uniformitéit vun elektresche Parameteren, eenzegaartegen a konstante Gitterstrukturen, a gerénger Defektdicht, héchste Brechungsindex wéi déi meescht aner net-metallesch Verbindungen.GaSb ka mat enger grousser Auswiel an der exakter oder aus Orientéierung veraarbecht ginn, niddereg oder héich dotéiert Konzentratioun, gutt Uewerflächefinanz a fir MBE oder MOCVD epitaxial Wuesstum.Gallium Antimonide Substrat gëtt an de modernsten Fotoopteschen an optoelektroneschen Uwendungen benotzt wéi d'Fabrikatioune vu Fotodetektoren, Infraroutdetektoren mat laangem Liewen, héijer Empfindlechkeet an Zouverlässegkeet, Photoresist Komponent, Infrarout LEDs a Laser, Transistoren, thermesch Photovoltaikzelle. an Thermo-Photovoltaiksystemer.

Liwwerung

Gallium Antimonide GaSb bei Western Minmetals (SC) Corporation ka mat n-Typ, p-Typ an ongedopte hallefisoléierend Konduktivitéit an der Gréisst vun 2" 3" a 4" (50mm, 75mm, 100mm) Duerchmiesser ugebuede ginn, Orientéierung <111> oder <100>, a mat wafer Uewerfläch Finish vun as-cut, etched, poléiert oder héich Qualitéit epitaxy fäerdeg fäerdeg.All Scheiwen sinn individuell Laser schrëftlech fir Identitéit.Mëttlerweil gëtt polykristallin Gallium Antimonid GaSb Klump och op Ufro un déi perfekt Léisung personaliséiert.

Ufro elo

Detailer

Tags

Technesch Spezifizéierung

Gallium Antimonid

GaSb

Gallium Antimonid GaSbSubstrat gëtt an de modernste Fotooptiker an optoelektroneschen Uwendungen benotzt wéi d'Fabrikatioune vu Fotodetektoren, Infraroutdetektoren mat laangem Liewen, héijer Empfindlechkeet an Zouverlässegkeet, Photoresist Komponent, Infrarout LEDs a Laser, Transistoren, thermesch Photovoltaikzellen an Thermozellen. - Photovoltaiksystemer.

	Artikelen	Standard Spezifizéierung
1	Gréisst	2"	3"	4"
2	Duerchmiesser mm	50,5 ± 0,5	76,2±0,5	100 ± 0,5
3	Wuesstem Method	LEC	LEC	LEC
4	Konduktivitéit	P-Typ / Zn-dotéiert, Net-dotéiert, N-Typ / Te-dotéiert
5	Orientéierung	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Dicke μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientéierung Flat mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifikatioun Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitéit cm2/Vs	200-3500 oder wéi néideg
10	Carrier Konzentratioun cm-3	(1-100)E17 oder wéi néideg
11	TTV μm max	15	15	15
12	Béi μm max	15	15	15
13	Spannung μm max	20	20	20
14	Dislokatiounsdicht cm-2 max	500	1000	2000
15	Uewerfläch Finish	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Verpakung	Eenzel Wafer Container an Aluminiumbeutel versiegelt.

Linear Formel	GaSb
Molekulare Gewiicht	191,48
Kristallstruktur	Zénk Mëschung
Ausgesinn	Grey kristallin fest
Schmëlzpunkt	710°C
Kachpunkt	N/A
Dicht op 300K	5,61 g/cm³
Energie Gap	0,726 eV
Intrinsesch Resistivitéit	1E3 Ω-cm
CAS Zuel	12064-03-8
EC Nummer	235-058-8

Gallium Antimonid GaSbbei Western Minmetals (SC) Corporation kann mat n-Typ, p-Typ an ongedopte semi-isoléierend Konduktivitéit an der Gréisst vun 2" 3" a 4" (50mm, 75mm, 100mm) Duerchmiesser ugebuede ginn, Orientéierung <111> oder <100 >, a mat wafer Uewerfläch Finish vun as-cut, etched, poléiert oder héich Qualitéit epitaxy fäerdeg fäerdeg.All Scheiwen sinn individuell Laser schrëftlech fir Identitéit.Mëttlerweil gëtt polykristallin Gallium Antimonid GaSb Klump och op Ufro un déi perfekt Léisung personaliséiert.