Indium Antimonide InSb

Beschreiwung

Indium Antimonide InSb, e Hallefleit vun der Grupp III-V kristalline Verbindunge mat Zink-Blende Gitterstruktur, gëtt duerch 6N 7N héich Rengheet Indium an Antimon Elementer synthetiséiert, a gewuess Eenkristall duerch VGF Method oder Liquid Encapsulated Czochralski LEC Method aus Multiple Zone raffinéiert polycrystalline Ingot, déi ka geschnidden a fabrizéiert ginn an Wafer a blockéieren duerno.InSb ass en direkten Iwwergangshalbleiter mat engem schmuele Bandspalt vun 0.17eV bei Raumtemperatur, héich Empfindlechkeet op 1-5μm Wellelängt an ultra héich Hallmobilitéit.Indium Antimonide InSb n-Typ, p-Typ an semi-isoléierend Konduktivitéit bei Western Minmetals (SC) Corporation kann an der Gréisst vun 1″ 2″ 3″ a 4” (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) Duerchmiesser ugebuede ginn, Orientéierung < 111> oder <100>, a mat wafer Uewerfläch Finish vun as-cut, lapped, etched a poléiert.Indium Antimonide InSb Zil vun Dia.50-80mm mat un-dotéierten n-Typ ass och verfügbar.Mëttlerweil, polycrystalline Indium Antimonide InSb (Multikristall InSb) mat Gréisst vun onregelméissegen lump, oder eidel (15-40) x (40-80) mm, a Ronn Bar vun D30-80mm sinn och op Ufro un déi perfekt Léisung ugepasst.

Applikatioun

Indium Antimonide InSb ass en ideale Substrat fir d'Produktioun vu ville modernste Komponenten an Apparater, sou wéi fortgeschratt thermesch Imaging Léisung, FLIR System, Hallelement a Magnetresistenz Effekt Element, Infrarout Homing Rakéite Leedung System, héich reaktiounsfäeger Infrarout Photodetektor Sensor , Héichpräzis Magnéit- a Rotatiounsresistivitéitssensor, Brennwäit planar Arrays, an och adaptéiert als Terahertz-Stralungsquell an am Infraroutastronomesche Raumteleskop etc.

Ufro elo

Detailer

Tags

Technesch Spezifizéierung

Indium Antimonide

InSb

Indium Antimonide Substrat(InSb Substrat, InSb Wafer) n-Typ oder p-Typ bei Western Minmetals (SC) Corporation kann an der Gréisst vun 1" 2" 3" a 4" (30, 50, 75 an 100 mm) Duerchmiesser, Orientéierung <111> oder <100> ugebuede ginn, an mat wafer Uewerfläch vun lapped, etched, poléierte Finishen.Indium Antimonide Single Crystal Bar (InSb Monocrystal Bar) kann och op Ufro geliwwert ginn.

Indium AntimonidePolycrystalline (InSb Polycrystalline, oder multicrystal InSb) mat Gréisst vun onregelméissegen lump, oder eidel (15-40) x (40-80) mm sinn och op Ufro un déi perfekt Léisung ugepasst.

Mëttlerweil, Indium Antimonide Target (InSb Target) vun Dia.50-80mm mat un-dotéiert n-Typ och sinn.

Nee.	Artikelen	Standard Spezifizéierung
1	Indium Antimonide Substrat	2"	3"	4"
2	Duerchmiesser mm	50,5 ± 0,5	76,2±0,5	100 ± 0,5
3	Wuesstem Method	LEC	LEC	LEC
4	Konduktivitéit	P-Typ / Zn, Ge dotéiert, N-Typ / Te-dotéiert, Un-dotéiert
5	Orientéierung	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Dicke μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientéierung Flat mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifikatioun Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitéit cm2/Vs	1-7E5 N/net-dotéiert, 3E5-2E4 N/Te-dotéiert, 8-0.6E3 oder ≤8E13 P/Ge-dotéiert
10	Carrier Konzentratioun cm-3	6E13-3E14 N/net-dotéiert, 3E14-2E18 N/Te-dotéiert, 1E14-9E17 oder <1E14 P/Ge-dotéiert
11	TTV μm max	15	15	15
12	Béi μm max	15	15	15
13	Spannung μm max	20	20	20
14	Dislokatiounsdicht cm-2 max	50	50	50
15	Uewerfläch Finish	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Verpakung	Eenzel Wafer Container an Aluminiumbeutel versiegelt.

Nee.	Artikelen	Standard Spezifizéierung
Nee.	Artikelen	Indium Antimonid polykristallin	Indium Antimonid Zil
1	Konduktivitéit	Ongedopt	Ongedopt
2	Carrier Konzentratioun cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobilitéit cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Gréisst	15-40 x 40-80 mm	D (50-80) mm
5	Verpakung	A Komposit Aluminiumbeutel, Kartongskëscht dobausse

Linear Formel	InSb
Molekulare Gewiicht	236,58
Kristallstruktur	Zénk Mëschung
Ausgesinn	Däischtergro metallesch Kristalle
Schmëlzpunkt	527 °C
Kachpunkt	N/A
Dicht op 300K	5,78 g/cm³
Energie Gap	0,17 eV
Intrinsesch Resistivitéit	4E(-3) Ω-cm
CAS Zuel	1312-41-0
EC Nummer	215-192-3

Indium Antimonide InSbwafer ass en ideale Substrat fir d'Produktioun vu ville modernste Komponenten an Apparater, sou wéi fortgeschratt thermesch Imaging Léisung, FLIR System, Hallelement a Magnetoresistenz Effekt Element, Infrarout Homing Rakéite Leedung System, héich reaktiounsfäeger Infrarout Photodetektor Sensor, héich -Präzisioun magnetesch a rotativ Resistivitéit Sensor, Brennwäit planar Arrays, an och ugepasst als Terahertz Stralung Quell an Infraroutstrahlung astronomeschen Weltraum Teleskop etc.