FZ Silicon Wafer

Beschreiwung

FZ Single Crystal Silicon Wafer,Float-Zone (FZ) Silicon ass extrem pure Silizium mat enger ganz gerénger Konzentratioun vu Sauerstoff a Kuelestoff Gëftstoffer, déi duerch d'Vertikal Floating Zone Raffinéierungstechnologie gezunn ginn.FZ Floating Zone ass eng Eenkristallingott Wuessmethod déi anescht ass wéi d'CZ Method, wou Saamkristall ënner polykristallinem Silizium Ingot befestegt ass, a Grenz tëscht Somkristall a polykristallinem Kristallsilisium gëtt duerch RF Spiral Induktiounsheizung fir eenzel Kristalliséierung geschmolt.D'RF-Spiral an d'geschmolt Zone beweegen sech no uewen, an en eenzege Kristall verstäerkt deementspriechend uewen um Somkristall.Float-Zone Silizium ass gesuergt mat enger eenheetlecher Dotatiounsverdeelung, enger niddereger Resistivitéitvariatioun, limitéiert Quantitéiten un Gëftstoffer, bedeitend Carrier Liewensdauer, héich Resistivitéitsziel an héich Rengheet Silizium.Float-Zone Silizium ass eng héich Puritéit Alternativ zu Kristalle, déi vum Czochralski CZ Prozess ugebaut ginn.Mat de Charakteristike vun dëser Method ass FZ Single Crystal Silicon ideal fir d'Benotzung an der Fabrikatioun vun elektroneschen Apparater, wéi Dioden, Thyristoren, IGBTs, MEMS, Diode, RF Apparat a Kraaft MOSFETs, oder als Substrat fir Héichopléisende Partikel oder optesch Detektoren. , Muecht Apparater a Sensoren, héich Effizienz Solarzelle etc.

Liwwerung

FZ Single Crystal Silicon Wafer N-Typ a P-Typ Konduktivitéit bei Western Minmetals (SC) Corporation kann an der Gréisst vun 2, 3, 4, 6 an 8 Zoll (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm an 200 mm) geliwwert ginn an Orientéierung <100>, <110>, <111> mat Surface Finish vun As-cut, Lapped, etched a poléiert a Package vu Schaumkëscht oder Kassett mat Kartongskëscht dobaussen.