Gallium Arsenid GaAs

Beschreiwung

Gallium ArsenidGaAs ass a direkt Band Spalt Verbindung semiconductor vun Grupp III-V synthetiséiert vun op d'mannst 6N 7N héich Rengheet Gallium an Arsen Element, an ugebaut Kristallsglas produzéiert vun VGF oder LEC Prozess aus héich Rengheet polycrystalline Gallium Arsenid, gro Faarf krut, Kubikzentimeter Kristaller mat Zénk-Blend Struktur.Mat der Doping vu Kuelestoff, Silizium, Tellur oder Zénk fir n-Typ oder p-Typ an semi-isoléierend Konduktivitéit respektiv ze kréien, kann e zylindresche InAs Kristall geschnidden a fabrizéiert ginn an eidel a wafer an als geschnidden, geätzt, poléiert oder epi. -prett fir MBE oder MOCVD epitaxial Wuesstem.Gallium Arsenid Wafer gëtt haaptsächlech benotzt fir elektronesch Geräter ze fabrizéieren wéi Infrarout Liichtdioden, Laserdioden, optesch Fënsteren, Feldeffekt Transistoren FETs, linear vun digitale ICs a Solarzellen.GaAs Komponente sinn nëtzlech an ultra-héich Radiofrequenzen a séier elektronesch Schaltapplikatioun, schwaach Signalverstärkungsapplikatiounen.Ausserdeem ass Gallium Arsenide Substrat en idealt Material fir d'Fabrikatioun vu RF Komponenten, Mikrowellenfrequenz a monolithesche ICs, an LEDs Geräter an opteschen Kommunikatiounen a Kontrollsystemer fir seng saturéierend Hallmobilitéit, héich Kraaft an Temperaturstabilitéit.

Liwwerung

Gallium Arsenide GaAs bei Western Minmetals (SC) Corporation kann als polykristallin Klump oder Eenkristallwafer an als geschniddene, geätzten, poléierten oder epi-ready Wafers an enger Gréisst vun 2" 3" 4" a 6" (50 mm) geliwwert ginn. 75mm, 100mm, 150mm) Duerchmiesser, mat p-Typ, n-Typ oder semi-isoléierend Konduktivitéit, an <111> oder <100> Orientéierung.Déi personaliséiert Spezifizéierung ass fir déi perfekt Léisung fir eise Clienten weltwäit.

Ufro elo

Detailer

Tags

Technesch Spezifizéierung

Gallium Arsenid

GaAs

Gallium Arsenid GaAsWafere ginn haaptsächlech benotzt fir elektronesch Geräter ze fabrizéieren wéi Infrarout Liichtdioden, Laserdioden, optesch Fënsteren, Feldeffekt Transistoren FETs, linear vun digitale ICs a Solarzellen.GaAs Komponente sinn nëtzlech an ultra-héich Radiofrequenzen a séier elektronesch Schaltapplikatioun, schwaach Signalverstärkungsapplikatiounen.Ausserdeem ass Gallium Arsenide Substrat en idealt Material fir d'Fabrikatioun vu RF Komponenten, Mikrowellenfrequenz a monolithesche ICs, an LEDs Geräter an opteschen Kommunikatiounen a Kontrollsystemer fir seng saturéierend Hallmobilitéit, héich Kraaft an Temperaturstabilitéit.

Nee.	Artikelen	Standard Spezifizéierung
1	Gréisst	2"	3"	4"	6"
2	Duerchmiesser mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100 ± 0,5	150 ± 0,5
3	Wuesstem Method	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Konduktivitéit Typ	N-Typ/Si oder Te-dotéiert, P-Typ/Zn-dotéiert, Semi-isoléierend/ondotéiert
5	Orientéierung	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°
6	Dicke μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Orientéierung Flat mm	17±1	22±1	32±1	Notch
8	Identifikatioun Flat mm	7±1	12±1	18±1	-
9	Resistivitéit Ω-cm	(1-9)E(-3) fir p-Typ oder n-Typ, (1-10)E8 fir semi-isoléierend
10	Mobilitéit cm2/vs	50-120 fir p-Typ, (1-2.5) E3 fir n-Typ, ≥4000 fir semi-isoléierend
11	Carrier Konzentratioun cm-3	(5-50)E18 fir p-Typ, (0.8-4)E18 fir n-Typ
12	TTV μm max	10	10	10	10
13	Béi μm max	30	30	30	30
14	Spannung μm max	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Uewerfläch Finish	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Verpakung	Eenzel Wafer Container versiegelt an Aluminium Komposit Sak.
18	Remarquen	Mechanesch Grad GaAs Wafer ass och op Ufro verfügbar.

Linear Formel	GaAs
Molekulare Gewiicht	144,64
Kristallstruktur	Zénk Mëschung
Ausgesinn	Grey kristallin fest
Schmëlzpunkt	1400°C, 2550°F
Kachpunkt	N/A
Dicht op 300K	5,32 g/cm³
Energie Gap	1.424 eV
Intrinsesch Resistivitéit	3.3E8 Ω-cm
CAS Zuel	1303-00-0
EC Nummer	215-114-8

Gallium Arsenid GaAsbei Western Minmetals (SC) Corporation kann als polycrystalline Klump oder eenzel Kristallwafer an as-cut, etched, poléiert oder epi-ready wafers an enger Gréisst vun 2" 3" 4" a 6" (50mm, 75mm, 100mm) geliwwert ginn , 150mm) Duerchmiesser, mat p-Typ, n-Typ oder semi-isoléierend Konduktivitéit, an <111> oder <100> Orientatioun.Déi personaliséiert Spezifizéierung ass fir déi perfekt Léisung fir eise Clienten weltwäit.