Single Crystal Germanium Wafer / Ingot

Beschreiwung

Single Crystal Germanium Wafer / Ingotoder monokristallin germanium ass sëlwergro Faarf Erscheinung, Schmelzpunkt 937 ° C, Dicht 5,33 g / cm³.E kristallin Germanium ass brécheg an huet wéineg Plastizitéit bei Raumtemperatur.Héich Rengheet germanium gëtt duerch Zone schwammen an dotéiert mat Indium a Gallium oder Antimon kritt fir n-Typ oder p-Typ Konduktivitéit ze kréien, déi héich Elektronemobilitéit an héich Lochmobilitéit huet, a kann elektresch gehëtzt ginn fir Anti-Fogging oder Anti-Ising Uwendungen.Single Crystal Germanium gëtt duerch Vertical Gradient Freeze VGF Technologie ugebaut fir et chemesch Stabilitéit, Korrosiounsbeständegkeet, gutt Iwwerdroung, ganz héije Brechungsindex an héije Grad vu Gitter Perfektioun ze garantéieren.

Uwendungen

Single Crystal Germanium fënnt villverspriechend a breet Uwendungen, an deenen elektronesch Grad fir Dioden an Transistoren benotzt gëtt, Infrarout oder optesch Grad Germanium eidel oder Fënster ass fir IR optesch Fënster oder Disken, optesch Komponenten déi an Nuetsvisioun benotzt ginn an thermographesch Imaging Léisunge fir Sécherheet, Ferntemperaturmiessung, Feierbekämpfung an industriell Iwwerwachung Equipement, liicht dotéiert P an N Typ Germanium wafer kann och fir Hall Effekt Experimenter benotzt ginn.Zellgrad ass fir Substrate benotzt an III-V Triple-junction Solarzellen a fir Kraaft Konzentréiert PV Systemer vu Solarzelle etc.

Ufro elo

Detailer

Tags

Technesch Spezifizéierung

Single Crystal Germanium

Single Crystal Germanium Wafer oder Ingotmat n-Typ, p-Typ an un-dotéiert Konduktivitéit an Orientéierung <100> bei Western Minmetals (SC) Corporation kann an der Gréisst vun 2, 3, 4 a 6 Zoll Duerchmiesser (50 mm, 75 mm, 100 mm an 150 mm) geliwwert ginn. Uewerfläch Finish vun etched oder poléiert am Pak vun Schaum Këscht oder Kassett fir wafer an an versiegelt Plastikstut fir ingot mat Kartong Këscht dobaussen, polycrystalline Germanium ingot ass och op Ufro verfügbar, oder als personaliséiert Spezifizéierung déi perfekt Léisung ze erreechen.

Symbol	Ge
Atomnummer	32
Atomescht Gewiicht	72,63
Element Kategorie	Metalloid
Grupp, Period, Block	14, 4, p
Kristallstruktur	Diamant
Faarf	Grauweiss
Schmëlzpunkt	937°C, 1211.40K
Kachpunkt	2833°C, 3106K
Dicht op 300K	5,323 g/cm³
Intrinsesch Resistivitéit	46 Ω-cm
CAS Zuel	7440-56-4
EC Nummer	231-164-3

Nee.	Artikelen	Standard Spezifizéierung
1	Germanium Wafer	2"	3"	4"	6"
2	Duerchmiesser mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100 ± 0,5	150 ± 0,5
3	Wuesstem Method	VGF oder CZ	VGF oder CZ	VGF oder CZ	VGF oder CZ
4	Konduktivitéit	P-Typ / dotéiert (Ga oder In), N-Typ / dotéiert Sb, Un-dotéiert
5	Orientéierung	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°
6	Dicke μm	145, 175, (500-1000)
7	Resistivitéit Ω-cm	0,001-50	0,001-50	0,001-50	0,001-50
8	Mobilitéit cm2/Vs	>200	>200	>200	>200
9	TTV μm max	5, 8,10	5, 8,10	5, 8,10	5, 8,10
10	Béi μm max	15	15	15	15
11	Spannung μm max	15	15	15	15
12	Dislokatioun cm-2 max	300	300	300	300
13	EPD cm-2	<4000	<4000	<4000	<4000
14	Partikel zielt a / wafer max	10 (op ≥0,5 μm)	10 (op ≥0,5 μm)	10 (op ≥0,5 μm)	10 (op ≥0,5 μm)
15	Uewerfläch Finish	P/E, P/P oder wéi néideg
16	Verpakung	Eenzel Wafer Container oder Kassett bannen, Kartongskëscht dobaussen

Nee.	Artikelen	Standard Spezifizéierung
1	Germanium Ingot	2"	3"	4"	6"
2	Typ	P-Typ / Dotéiert (Ga, In), N-Typ / Dotéiert (As, Sb), Ongedotéiert
3	Resistivitéit Ω-cm	0,1-50	0,1-50	0,1-50	0,1-50
4	Carrier Liewensdauer μs	80-600	80-600	80-600	80-600
5	Ingot Längt mm	140-300	140-300	140-300	140-300
6	Verpakung	Versiegelt a Plastikstut oder Schaumkëscht bannen, Kartongskëscht dobausse
7	Remarque	Polykristallin Germanium Ingot ass op Ufro verfügbar

Single Crystal Germaniumfënnt villverspriechend a breet Uwendungen, an deenen elektronesch Grad fir Dioden an Transistoren benotzt gëtt, Infrarout oder optesch Grad Germanium eidel oder Fënster ass fir IR optesch Fënster oder Disken, optesch Komponenten déi an Nuetsvisioun benotzt ginn an thermographesch Imaging Léisunge fir Sécherheet, Ferntemperaturmiessung, Feierbekämpfung an industriell Iwwerwachung Equipement, liicht dotéiert P an N Typ Germanium wafer kann och fir Hall Effekt Experimenter benotzt ginn.Zellgrad ass fir Substrate benotzt an III-V Triple-junction Solarzellen a fir Kraaft Konzentréiert PV Systemer vu Solarzelle etc.