Beschreiwung
Kadmiumsulfid CdS99,999% 5N oder Kadmiumsulfid 99.999% 5N Rengheet, Molekulargewicht 144.476, Schmelzpunkt 980°C, Kachpunkt 1750°C, Dicht 4.826g/cm3, CAS 1306-23-6, e giel-brong Waasser-onlöslech zolidd Material, ass eng binär Verbindung vu Kadmium a Schwefel Elementer mat héijer Rengheet, déi an der kubescher Sphalerit oder sechseckegen Wurtzit Struktur kristalliséieren, gewuess duerch Vertical Gradient Freeze VGF Method.Et ass en aussergewéinlecht Photokonduktormaterial duerch verbesserte Kristallwuesstungstechniken huet zu groussen Eenzelkristaller mat méi perfekter Kristallstruktur a méi héijer Rengheet gefouert, déi duerch Zoneraffinéierung vu Kadmium a Schwefel gesicht gëtt.D'Kristalle ginn aus der Schmelz an Héichtemperatur- an Héichdrockausrüstung ugebaut, a fir duerch Ultraschallschneidmethoden erfollegräich applizéiert ze ginn.P-Typ CdS Kristall gouf duerch schwéier Kupfer Doping produzéiert.
Uwendungen
Cadmium Sulfide CdS 99.999% 5N gëtt besonnesch an der Produktioun vun an photoelektreschen Zellen benotzt, photoresistor, luorescent Pudder, an aner photovoltaic Elementer an Apparater wéi photocells, Gamma Detektoren, Solar Generatoren, photorectifiers, an elektronesch Deeler, an Medezin, a Faarwen asw Cadmium sulfide ass eng Zort vun semiconductor Material mat photocatalytic Aktivitéit, déi Komposit Material mat verschiddenen Zorte vu Material bilden kann photocatalytic Kapazitéit ze förderen iwwerdeems de Liicht corrosion Effekt reduzéieren, et ass wäit benotzt fir d'Fabrikatioun vun UV Detektoren, piezoelectric Kristaller, photoresistors , Laser Geräter an aner Infraroutapparater.
Technesch Spezifizéierung
Kadmiumsulfid CdS 5N 99,999%um Western Minmetals (SC) Corporation kann an der Gréisst vun Pudder geliwwert ginn -60mesh, -80mesh, lump 1-20mm, Kristallsglas produzéiert Ronn wafer oder Substrat 2 Zoll a véiereckege eidel 10 × 10 mm, oder als perséinlëche Spezifizéierung déi perfekt Léisung ze erreechen.
Wueren | Artikelen | Standard Spezifikatioune | |
Single Crystal Kadmiumsulfid CdS | Form | Substrat | Blank |
Gréisst | D50.8mm Substrat | 10 x 10 mm Quadrat | |
Konduktivitéit | N-Typ/P-dotéiert oder Semi-isoléierend | ||
Orientéierung | <001> | <001> | |
Dicke | 500 ± 15 μm | (250-300)±10 | |
Resistivitéit | <5 Ω-cm | <5 oder >106Ω-cm | |
Infrarout Iwwerdroung | >71% | >71% | |
Hall Mobilitéit | 2 x10-2cm2/Vs | 2 x10-2cm2/Vs | |
Verpakung | Eenzel Wafer Container bannen, Kartongskëscht dobaussen. | ||
Polykristallin Kadmiumsulfid CdS | Rengheet | 5N 99,999% Min | |
Onreinheet PPM max | Mg/Fe/Ni/Cu/Al/ Ca/Sn/Pb/Bi/Zn 1,0, Cr/Sb/Ag 0,5 | ||
Gréisst | -60mesh, -80mesh Pudder, 1-20mm onregelméisseg lump | ||
Verpakung | Verpackt a Komposit Aluminiumbeutel mat Kartongskëscht dobausse |
Cadmium Sulfide CdS 99,999% 5Ngëtt besonnesch an der Produktioun vun a photoelektreschen Zellen, Photoresistor, Luoreszentpulver, an aner photovoltaesch Elementer an Apparater benotzt wéi Photozellen, Gammadetektoren, Solargeneratoren, Photorectifiers, an an elektroneschen Deeler, an der Medizin, a Faarwen etc. Cadmiumsulfid ass eng Zort vun semiconductor Material mat photocatalytic Aktivitéit, déi Komposit Material mat verschiddenen Zorte vu Material bilden kann photocatalytic Kapazitéit ze förderen iwwerdeems de Liicht corrosion Effekt reduzéieren, ass et wäit benotzt fir d'Fabrikatioun vun UV detectors, piezoelectric Kristaller, photoresistors, Laser Apparater an aner Infraroutstrahlung. Apparater.
Beschaffungstips
Kadmiumsulfid CdS