Epitaxial (EPI) Silicon Wafer

Beschreiwung

Epitaxial Silicon Waferoder EPI Silicon Wafer, ass e Wafer vun enger hallefleitender Kristallschicht, déi duerch epitaxial Wuesstum op déi poléiert Kristalloberfläch vun engem Siliziumsubstrat deposéiert ass.D'Epitaxialschicht kann datselwecht Material sinn wéi de Substrat duerch homogene Epitaxialwachstum, oder eng exotesch Schicht mat spezifescher wënschenswäerter Qualitéit duerch heterogenen Epitaxialwachstum, déi d'Epitaxialwachstumstechnologie adoptéiert enthält chemesch Dampdepositioun CVD, Flëssegphase Epitaxie LPE, souwéi molekulare Strahl. epitaxy MBE déi héchste Qualitéit vun niddereg Mängel Dicht a gutt Uewerfläch roughness ze erreechen.Silicon Epitaxial Wafers ginn haaptsächlech an der Produktioun vu fortgeschratten Hallefleitgeräter benotzt, héich integréiert Hallefleitelementer ICs, diskret a Kraaftapparater, och benotzt fir Element vun Diode an Transistor oder Substrat fir IC wéi bipolare Typ, MOS a BiCMOS Geräter.Ausserdeem, Multi-Schicht epitaxial an décke Film EPI Silizium Wafere ginn dacks a Mikroelektronik, Photonik a Photovoltaik Uwendung benotzt.

Liwwerung

Epitaxial Silicon Wafers oder EPI Silicon Wafer bei Western Minmetals (SC) Corporation kënnen an der Gréisst vun 4, 5 a 6 Zoll (100mm, 125mm, 150mm Duerchmiesser) ugebuede ginn, mat Orientéierung <100>, <111>, Epilayer Resistivitéit vun <1ohm -cm oder bis zu 150ohm-cm, an Epilayer Dicke vun <1um oder bis zu 150um, fir déi verschidde Ufuerderungen an Uewerflächefinanz vun geätzt oder LTO Behandlung ze zefridden, a Kassett mat Kartongskëscht dobausse verpackt, oder als personaliséiert Spezifizéierung fir déi perfekt Léisung .

Ufro elo

Detailer

Tags

Technesch Spezifizéierung

Epi Silicon Wafer

Epitaxial Silicon Wafersoder EPI Silicon Wafer bei Western Minmetals (SC) Corporation kann an der Gréisst vun 4, 5 a 6 Zoll (100mm, 125mm, 150mm Duerchmiesser) ugebuede ginn, mat Orientéierung <100>, <111>, Epilayer Resistivitéit vun <1ohm-cm oder bis zu 150ohm-cm, an Epilayer Dicke vun <1um oder bis zu 150um, fir déi verschidde Ufuerderungen an Uewerflächefinanz vun geätzt oder LTO Behandlung ze zefridden, a Kassett mat Kartongskëscht dobausse verpackt, oder als personaliséiert Spezifizéierung fir déi perfekt Léisung.

Symbol	Si
Atomnummer	14
Atomescht Gewiicht	28.09
Element Kategorie	Metalloid
Grupp, Period, Block	14, 3, p
Kristallstruktur	Diamant
Faarf	Donkelgrau
Schmëlzpunkt	1414°C, 1687,15 K
Kachpunkt	3265°C, 3538,15 K
Dicht op 300K	2,329 g/cm³
Intrinsesch Resistivitéit	3.2E5 Ω-cm
CAS Zuel	7440-21-3
EC Nummer	231-130-8

Nee.	Artikelen	Standard Spezifizéierung
1	Allgemeng Charakteristiken
1-1	Gréisst	4"	5"	6"
1-2	Duerchmiesser mm	100 ± 0,5	125±0,5	150 ± 0,5
1-3	Orientéierung	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Epitaxial Layer Charakteristiken
2-1	Wuesstem Method	CVD	CVD	CVD
2-2	Konduktivitéit Typ	P oder P+, N/ oder N+	P oder P+, N/ oder N+	P oder P+, N/ oder N+
2-3	Dicke μm	2,5-120	2,5-120	2,5-120
2-4	Dicke Uniformitéit	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	Resistivitéit Ω-cm	0,1-50	0,1-50	0,1-50
2-6	Resistivitéit Uniformitéit	≤3%	≤5%	-
2-7	Dislokatioun cm-2	<10	<10	<10
2-8	Uewerfläch Qualitéit	Keen Chip, Niwwel oder Orangeschuel bleift, asw.
3	Grëff Substrat Charakteristiken
3-1	Wuesstem Method	CZ	CZ	CZ
3-2	Konduktivitéit Typ	P/N	P/N	P/N
3-3	Dicke μm	525-675	525-675	525-675
3-4	Dicke Uniformitéit max	3%	3%	3%
3-5	Resistivitéit Ω-cm	Wéi néideg	Wéi néideg	Wéi néideg
3-6	Resistivitéit Uniformitéit	5%	5%	5%
3-7	TTV μm max	10	10	10
3-8	Béi μm max	30	30	30
3-9	Spannung μm max	30	30	30
3-10	EPD cm-2 max	100	100	100
3-11	Rand Profil	Ofgerënnt	Ofgerënnt	Ofgerënnt
3-12	Uewerfläch Qualitéit	Keen Chip, Niwwel oder Orangeschuel bleift, asw.
3-13	Récksäit Finish	Etched oder LTO (5000±500Å)
4	Verpakung	Kassett bannen, Kartongskëscht dobaussen.

Silicon Epitaxial Wafersginn haaptsächlech an der Produktioun vun fortgeschrattene Hallefleitgeräter benotzt, héich integréiert Hallefleitelementer ICs, diskret a Kraaftapparater, och benotzt fir Element vun Diode an Transistor oder Substrat fir IC wéi bipolare Typ, MOS a BiCMOS Geräter.Ausserdeem, Multi-Schicht epitaxial an décke Film EPI Silizium Wafere ginn dacks a Mikroelektronik, Photonik a Photovoltaik Uwendung benotzt.