FZ Silicon Wafer

Beschreiwung

FZ Single Crystal Silicon Wafer,Float-Zone (FZ) Silicon ass extrem pure Silizium mat enger ganz gerénger Konzentratioun vu Sauerstoff a Kuelestoff Gëftstoffer, déi duerch d'Vertikal Floating Zone Raffinéierungstechnologie gezunn ginn.FZ Floating Zone ass eng Eenkristallingott Wuessmethod déi anescht ass wéi d'CZ Method, wou Saamkristall ënner polykristallinem Silizium Ingot befestegt ass, a Grenz tëscht Somkristall a polykristallinem Kristallsilisium gëtt duerch RF Spiral Induktiounsheizung fir eenzel Kristalliséierung geschmolt.D'RF-Spiral an d'geschmolt Zone beweegen sech no uewen, an en eenzege Kristall verstäerkt deementspriechend uewen um Somkristall.Float-Zone Silizium ass gesuergt mat enger eenheetlecher Dotatiounsverdeelung, enger niddereger Resistivitéitvariatioun, limitéiert Quantitéiten un Gëftstoffer, bedeitend Carrier Liewensdauer, héich Resistivitéitsziel an héich Rengheet Silizium.Float-Zone Silizium ass eng héich Puritéit Alternativ zu Kristalle, déi vum Czochralski CZ Prozess ugebaut ginn.Mat de Charakteristike vun dëser Method ass FZ Single Crystal Silicon ideal fir d'Benotzung an der Fabrikatioun vun elektroneschen Apparater, wéi Dioden, Thyristoren, IGBTs, MEMS, Diode, RF Apparat a Kraaft MOSFETs, oder als Substrat fir Héichopléisende Partikel oder optesch Detektoren. , Muecht Apparater a Sensoren, héich Effizienz Solarzelle etc.

Liwwerung

FZ Single Crystal Silicon Wafer N-Typ a P-Typ Konduktivitéit bei Western Minmetals (SC) Corporation kann an der Gréisst vun 2, 3, 4, 6 an 8 Zoll (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm an 200 mm) geliwwert ginn an Orientéierung <100>, <110>, <111> mat Surface Finish vun As-cut, Lapped, etched a poléiert a Package vu Schaumkëscht oder Kassett mat Kartongskëscht dobaussen.

Ufro elo

Detailer

Tags

Technesch Spezifizéierung

FZ Silicon Wafer

FZ Single Crystal Silicon Waferoder FZ Mono-Crystal Silicon Wafer vun intrinsescher, n-Typ a p-Typ Konduktivitéit bei Western Minmetals (SC) Corporation kann a verschiddene Gréisste vun 2, 3, 4, 6 an 8 Zoll am Duerchmiesser (50mm, 75mm, 100mm) geliwwert ginn , 125mm, 150mm an 200mm) a breet Palette vun Dicke vu 279um bis 2000um an <100>, <110>, <111> Orientéierung mat Uewerflächefinanz vu geschnidden, geklappt, geätzt a poléiert a Package vu Schaumbox oder Kassett mat Kartongskëscht dobaussen.

Nee.	Artikelen	Standard Spezifizéierung
1	Gréisst	2"	3"	4"	5"	6"
2	Duerchmiesser mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100 ± 0,5	125±0,5	150 ± 0,5
3	Konduktivitéit	N/P	N/P	N/P	N/P	N/P
4	Orientéierung	<100>, <110>, <111>
5	Dicke μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 oder wéi néideg
6	Resistivitéit Ω-cm	1-3, 3-5, 40-60, 800-1000, 1000-1400 oder wéi néideg
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	TTV μm max	10	10	10	10	10
9	Bogen/Warp μm max	30	30	30	30	30
10	Uewerfläch Finish	As-cut, L/L, P/E, P/P
11	Verpakung	Schaumkëscht oder Kassett bannen, Kartongskëscht dobaussen.

Symbol	Si
Atomnummer	14
Atomescht Gewiicht	28.09
Element Kategorie	Metalloid
Grupp, Period, Block	14, 3, p
Kristallstruktur	Diamant
Faarf	Donkelgrau
Schmëlzpunkt	1414°C, 1687,15 K
Kachpunkt	3265°C, 3538,15 K
Dicht op 300K	2,329 g/cm³
Intrinsesch Resistivitéit	3.2E5 Ω-cm
CAS Zuel	7440-21-3
EC Nummer	231-130-8

FZ Single Crystal Silicon, mat de wichtegste Charakteristiken vun der Float-Zone (FZ) Method, ass ideal fir d'Benotzung an der Fabrikatioun vun elektroneschen Apparater, wéi Dioden, Thyristoren, IGBTs, MEMS, Diode, RF Apparat a Kraaft MOSFETs, oder als Substrat fir Héichopléisung Partikel oder optesch Detektoren, Kraaftapparater a Sensoren, Héicheffizienz Solarzelle etc.