Gallium Phosphide GaP

Beschreiwung

Gallium Phosphide GaP, e wichtege Hallefleeder vun eenzegaartegen elektreschen Eegeschafte wéi aner III-V Verbindungsmaterialien, kristalliséiert an der thermodynamesch stabiler kubescher ZB Struktur, ass en orange-giel semitransparent Kristallmaterial mat engem indirekte Bandspalt vun 2,26 eV (300K), wat ass synthetiséiert aus 6N 7N héich Rengheet Gallium a Phosphor, an an Eenkristall gewuess duerch Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) Technik.Gallium Phosphid Kristall ass dotéiert Schwefel oder Tellur fir n-Typ Hallefleit ze kréien, an Zénk dotéiert als p-Typ Konduktivitéit fir weider Fabrikatioun an de gewënschten Wafer, deen Uwendungen am optesche System, elektronesch an aner optoelektronesch Apparater huet.Single Crystal GaP Wafer kann Epi-Ready fir Är LPE, MOCVD an MBE epitaxial Uwendung virbereet ginn.Héich Qualitéit Single Kristall Gallium phosphide GaP wafer p-Typ, n-Typ oder undoped Konduktivitéit bei Western Minmetals (SC) Corporation kann an der Gréisst vun 2" an 3" (50mm, 75mm Duerchmiesser) ugebuede ginn, Orientatioun <100>, <111 > mat Surface Finish vun als-cut, poléiert oder epi-ready Prozess.

Uwendungen

Mat nidderegem Stroum an héijer Effizienz am Liichtemittéiere, ass Galliumphosphid GaP Wafer gëeegent fir optesch Displaysystemer wéi bëlleg rout, orange a gréng Liichtdioden (LEDs) a Géigeliicht vu giel a gréngen LCD etc an LED Chips Fabrikatioun mat niddereg bis mëttel Hellegkeet, GaP gëtt och wäit ugeholl als Basissubstrat fir d'Infraroutsensoren an d'Iwwerwaachungskameraen Fabrikatioun.

Ufro elo

Detailer

Tags

Technesch Spezifizéierung

Gallium Phosphide GaP

Héichqualitativ Eenkristall Gallium Phosphide GaP Wafer oder Substrat p-Typ, n-Typ oder ongedopte Konduktivitéit bei Western Minmetals (SC) Corporation kann an der Gréisst vun 2" an 3" (50mm, 75mm) am Duerchmiesser ugebuede ginn, Orientéierung <100> , <111> mat Surface Finish vun als geschnidde, gelappt, geätzt, poléiert, epi-ready veraarbecht an engem eenzegen Waferbehälter an engem Aluminiumkompositbeutel versiegelt oder als personaliséiert Spezifizéierung fir déi perfekt Léisung.

Nee.	Artikelen	Standard Spezifizéierung
1	GAP Gréisst	2"
2	Duerchmiesser mm	50,8 ± 0,5
3	Wuesstem Method	LEC
4	Konduktivitéit Typ	P-Typ/Zn-dotéiert, N-Typ/(S, Si, Te)-dotéiert, Ongedotéiert
5	Orientéierung	<1 1 1> ± 0,5°
6	Dicke μm	(300-400) ± 20
7	Resistivitéit Ω-cm	0,003-0,3
8	Orientéierung Flaach (OF) mm	16±1
9	Identifikatioun Flat (IF) mm	8±1
10	Hall Mobilitéit cm2/Vs min	100
11	Carrier Konzentratioun cm^-3	(2-20) E17
12	Dislokatioun Dicht cm^-2max	2.00E+05
13	Uewerfläch Finish	P/E, P/P
14	Verpakung	Eenzel Wafer Container versiegelt an Aluminiumkompositbeutel, Kartongskëscht dobausse

Linear Formel	GaP
Molekulare Gewiicht	100,7
Kristallstruktur	Zénk Mëschung
Ausgesinn	Orange fest
Schmëlzpunkt	N/A
Kachpunkt	N/A
Dicht op 300K	4,14 g/cm³
Energie Gap	2,26 eng
Intrinsesch Resistivitéit	N/A
CAS Zuel	12063-98-8
EC Nummer	235-057-2

Gallium Phosphide GaP Wafer, mat nidderegem Stroum an héijer Effizienz am Liichtemittéierend, ass gëeegent fir optesch Displaysystemer wéi bëlleg rout, orange a gréng Liichtdioden (LEDs) a Géigeliicht vu giel a gréngen LCD etc an LED Chips Fabrikatioun mat nidderegen bis mëttelméisseg Hellegkeet, GaP gëtt och wäit als Basissubstrat fir d'Infraroutsensoren an d'Iwwerwaachungskameraen Fabrikatioun ugeholl.